RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Confronto
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Punteggio complessivo
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
17
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
63
66
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
1,557.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
63
Velocità di lettura, GB/s
2,775.5
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,557.9
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
382
2061
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Confronto tra le RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link