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AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Confronto
AMD AE34G1601U1 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Punteggio complessivo
AMD AE34G1601U1 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
AMD AE34G1601U1 4GB
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Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
67
Intorno -123% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
3.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
67
30
Velocità di lettura, GB/s
6.8
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
3.6
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
998
3106
AMD AE34G1601U1 4GB Confronto tra le RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
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