RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Confronto
AMD AE34G1601U1 4GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Punteggio complessivo
AMD AE34G1601U1 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD AE34G1601U1 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
67
Intorno -139% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
3.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
67
28
Velocità di lettura, GB/s
6.8
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
3.6
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
998
3706
AMD AE34G1601U1 4GB Confronto tra le RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 99U5403-083.A00LF 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link