RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Confronto
AMD AE34G1601U1 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Punteggio complessivo
AMD AE34G1601U1 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD AE34G1601U1 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
67
Intorno -148% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
3.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
67
27
Velocità di lettura, GB/s
6.8
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
3.6
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
998
3587
AMD AE34G1601U1 4GB Confronto tra le RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link