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AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Confronto
AMD AE34G1601U1 4GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Punteggio complessivo
AMD AE34G1601U1 4GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
AMD AE34G1601U1 4GB
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Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
67
Intorno -116% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
3.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
67
31
Velocità di lettura, GB/s
6.8
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
3.6
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
998
3039
AMD AE34G1601U1 4GB Confronto tra le RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
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