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AMD AE34G1601U1 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Confronto
AMD AE34G1601U1 4GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Punteggio complessivo
AMD AE34G1601U1 4GB
Punteggio complessivo
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
AMD AE34G1601U1 4GB
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Motivi da considerare
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
67
Intorno -123% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.7
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.6
3.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD AE34G1601U1 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
67
30
Velocità di lettura, GB/s
6.8
11.7
Velocità di scrittura, GB/s
3.6
6.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
998
1832
AMD AE34G1601U1 4GB Confronto tra le RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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