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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Confronto
AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Punteggio complessivo
AMD AE34G1601U1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
AMD AE34G1601U1 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
67
Intorno -91% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
3.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
67
35
Velocità di lettura, GB/s
6.8
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
3.6
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
998
3221
AMD AE34G1601U1 4GB Confronto tra le RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
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