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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Confronto
AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
AMD AE34G1601U1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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AMD AE34G1601U1 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
67
Intorno -158% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.5
3.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
67
26
Velocità di lettura, GB/s
6.8
12.0
Velocità di scrittura, GB/s
3.6
5.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
998
1925
AMD AE34G1601U1 4GB Confronto tra le RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
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