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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Confronto
AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Punteggio complessivo
AMD AE34G1601U1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
AMD AE34G1601U1 4GB
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Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
67
Intorno -191% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
3.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
67
23
Velocità di lettura, GB/s
6.8
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
3.6
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
998
3147
AMD AE34G1601U1 4GB Confronto tra le RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
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