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AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Confronto
AMD AE34G1601U1 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Punteggio complessivo
AMD AE34G1601U1 4GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
AMD AE34G1601U1 4GB
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Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
67
Intorno -86% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
3.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
67
36
Velocità di lettura, GB/s
6.8
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
3.6
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
998
3351
AMD AE34G1601U1 4GB Confronto tra le RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
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