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AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Confronto
AMD AE34G2139U2 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
AMD AE34G2139U2 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD AE34G2139U2 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
7.4
6.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
56
Intorno -24% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.3
5.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
45
Velocità di lettura, GB/s
7.4
6.9
Velocità di scrittura, GB/s
5.6
6.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1462
1499
AMD AE34G2139U2 4GB Confronto tra le RAM
AMD R938G2130U2S 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
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