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AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Confronto
AMD AE34G2139U2 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Punteggio complessivo
AMD AE34G2139U2 4GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD AE34G2139U2 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
56
62
Intorno 10% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.0
5.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
62
Velocità di lettura, GB/s
7.4
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.6
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1462
1808
AMD AE34G2139U2 4GB Confronto tra le RAM
AMD R938G2130U2S 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
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