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AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Confronto
AMD R5316G1609U2K 8GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Punteggio complessivo
AMD R5316G1609U2K 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
73
Intorno -152% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
6.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
5.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
29
Velocità di lettura, GB/s
6.3
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1309
2513
AMD R5316G1609U2K 8GB Confronto tra le RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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