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AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Confronto
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Punteggio complessivo
AMD R5316G1609U2K 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Motivi da considerare
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
73
Intorno -284% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.5
6.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
5.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
19
Velocità di lettura, GB/s
6.3
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1309
3665
AMD R5316G1609U2K 8GB Confronto tra le RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
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