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AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Confronto
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Punteggio complessivo
AMD R5316G1609U2K 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R5316G1609U2K 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
73
94
Intorno 22% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
6.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.4
5.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
94
Velocità di lettura, GB/s
6.3
13.2
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
6.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1309
1390
AMD R5316G1609U2K 8GB Confronto tra le RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
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