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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Confronto
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Punteggio complessivo
AMD R5316G1609U2K 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
73
Intorno -192% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
6.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.3
5.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
25
Velocità di lettura, GB/s
6.3
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
18.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1309
3731
AMD R5316G1609U2K 8GB Confronto tra le RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
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