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AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Confronto
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Punteggio complessivo
AMD R5316G1609U2K 8GB
Punteggio complessivo
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
73
Intorno -97% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
6.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
5.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
37
Velocità di lettura, GB/s
6.3
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1309
3100
AMD R5316G1609U2K 8GB Confronto tra le RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
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