RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Confronto
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Punteggio complessivo
AMD R5316G1609U2K 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R5316G1609U2K 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
73
Intorno -121% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.6
6.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
5.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
33
Velocità di lettura, GB/s
6.3
9.6
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1309
2286
AMD R5316G1609U2K 8GB Confronto tra le RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link