RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Confronto
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Punteggio complessivo
AMD R5316G1609U2K 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R5316G1609U2K 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
73
Intorno -103% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
6.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
5.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
36
Velocità di lettura, GB/s
6.3
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1309
2497
AMD R5316G1609U2K 8GB Confronto tra le RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link