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AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Confronto
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
AMD R5316G1609U2K 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
73
Intorno -181% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12
6.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.5
5.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
26
Velocità di lettura, GB/s
6.3
12.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
5.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1309
1925
AMD R5316G1609U2K 8GB Confronto tra le RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
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