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AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Confronto
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Punteggio complessivo
AMD R5316G1609U2K 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
64
73
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
6.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
5.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
64
Velocità di lettura, GB/s
6.3
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1309
2205
AMD R5316G1609U2K 8GB Confronto tra le RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
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