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AMD R5316G1609U2K 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Confronto
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Punteggio complessivo
AMD R5316G1609U2K 8GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
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Motivi da considerare
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
73
Intorno -284% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
6.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.2
5.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
19
Velocità di lettura, GB/s
6.3
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1309
3220
AMD R5316G1609U2K 8GB Confronto tra le RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
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