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AMD R534G1601U1S 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Confronto
AMD R534G1601U1S 4GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Punteggio complessivo
AMD R534G1601U1S 4GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
AMD R534G1601U1S 4GB
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Motivi da considerare
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
68
Intorno -74% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
6.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
4.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R534G1601U1S 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
39
Velocità di lettura, GB/s
6.5
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
4.7
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1209
2159
AMD R534G1601U1S 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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