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AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Confronto
AMD R538G1601U2S 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601U2S 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R538G1601U2S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
27
Intorno 30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
18
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
12.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
19
27
Velocità di lettura, GB/s
18.4
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.3
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3189
3288
AMD R538G1601U2S 8GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston K1N7HK-HYC 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Super Talent F21UB8GS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
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