RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Confronto
AMD R538G1601U2S 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601U2S 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R538G1601U2S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
30
Intorno 37% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.8
18.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.0
12.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
19
30
Velocità di lettura, GB/s
18.4
20.8
Velocità di scrittura, GB/s
12.3
16.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3189
3773
AMD R538G1601U2S 8GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link