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AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Confronto
AMD R538G1601U2S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601U2S 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R538G1601U2S 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
33
Intorno 42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
8.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
19
33
Velocità di lettura, GB/s
18.4
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.3
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3189
2227
AMD R538G1601U2S 8GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
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