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AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Confronto
AMD R538G1601U2S 8GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601U2S 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R538G1601U2S 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
25
Intorno 24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
14.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
10.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
19
25
Velocità di lettura, GB/s
18.4
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.3
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3189
2620
AMD R538G1601U2S 8GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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