AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

AMD R538G1601U2S 8GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Punteggio complessivo
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AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    19 left arrow 25
    Intorno 24% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    18.4 left arrow 14.5
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.3 left arrow 10.7
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 12800
    Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    19 left arrow 25
  • Velocità di lettura, GB/s
    18.4 left arrow 14.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    12.3 left arrow 10.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    3189 left arrow 2620
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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