RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Confronto
AMD R538G1601U2S 8GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601U2S 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R538G1601U2S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
68
Intorno 72% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
16.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
8.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
19
68
Velocità di lettura, GB/s
18.4
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.3
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3189
2007
AMD R538G1601U2S 8GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link