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AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Confronto
AMD R538G1601U2S 8GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601U2S 8GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R538G1601U2S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
57
Intorno 67% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
10.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
18.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
19
57
Velocità di lettura, GB/s
18.4
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.3
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3189
2377
AMD R538G1601U2S 8GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
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