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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Confronto
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
27
Intorno 4% latenza inferiore
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
10.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
27
Velocità di lettura, GB/s
14.2
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2634
3711
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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