RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
INTENSO 4GB
Confronto
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs INTENSO 4GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Punteggio complessivo
INTENSO 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
36
Intorno 28% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.0
9.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
INTENSO 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
INTENSO 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
36
Velocità di lettura, GB/s
14.2
12.1
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2634
2061
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
INTENSO 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
INTENSO 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KY7N41-MID 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link