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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Confronto
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Punteggio complessivo
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
51
Intorno 49% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.0
9.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
51
Velocità di lettura, GB/s
14.2
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
9.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2634
2720
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
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