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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Confronto
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
48
Intorno 46% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.0
8.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
14.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
48
Velocità di lettura, GB/s
14.2
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2634
2196
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
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