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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Confronto
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Punteggio complessivo
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
37
Intorno -6% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
35
Velocità di lettura, GB/s
15.4
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2581
2488
AMD R5S38G1601U2S 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
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Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
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