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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Confronto
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Punteggio complessivo
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
37
Intorno -16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
15.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
32
Velocità di lettura, GB/s
15.4
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2581
2952
AMD R5S38G1601U2S 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
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Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
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