RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Confronto
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
55
Intorno 33% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
15.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
55
Velocità di lettura, GB/s
15.4
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2581
2701
AMD R5S38G1601U2S 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link