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AMD R744G2400U1S-UO 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Confronto
AMD R744G2400U1S-UO 4GB vs AMD R744G2400U1S 4GB
Punteggio complessivo
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Punteggio complessivo
AMD R744G2400U1S 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
66
Intorno -200% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
22
Velocità di lettura, GB/s
16.7
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
19200
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1912
2862
AMD R744G2400U1S-UO 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
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