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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Confronto
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Punteggio complessivo
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
47
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
9.2
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
31
Velocità di lettura, GB/s
11.8
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2323
2447
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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