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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Confronto
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Punteggio complessivo
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
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Motivi da considerare
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
47
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.5
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.4
9.2
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
31
Velocità di lettura, GB/s
11.8
12.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
9.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2323
2361
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
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