RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Confronto
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Punteggio complessivo
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Punteggio complessivo
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
37
Intorno 27% latenza inferiore
Motivi da considerare
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.4
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
6.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
37
Velocità di lettura, GB/s
12.8
21.4
Velocità di scrittura, GB/s
6.7
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2045
3448
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Confronto tra le RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link