RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Confronto
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Punteggio complessivo
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
30
Intorno 10% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
6.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
30
Velocità di lettura, GB/s
12.8
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
6.7
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2045
3100
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Confronto tra le RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link