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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Confronto
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Punteggio complessivo
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
28
Intorno 4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.8
12.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
6.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
28
Velocità di lettura, GB/s
12.8
12.2
Velocità di scrittura, GB/s
6.7
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2045
2382
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Confronto tra le RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
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