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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Confronto
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
54
Intorno -74% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
1,973.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
31
Velocità di lettura, GB/s
4,967.4
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,973.5
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
776
3318
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX6400D2LL/1GN 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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