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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Confronto
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
11.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
54
Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
1,973.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
43
Velocità di lettura, GB/s
4,967.4
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,973.5
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
776
2615
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX6400D2LL/1GN 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
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