RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Confronto
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,034.7
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
48
Intorno -129% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
21
Velocità di lettura, GB/s
4,295.1
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,034.7
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
650
3437
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CM2X2048-8500C5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link