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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Confronto
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,034.7
10.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
48
Intorno -71% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
28
Velocità di lettura, GB/s
4,295.1
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,034.7
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
650
2354
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB Confronto tra le RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Confronto tra le RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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