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Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Confronto
Corsair CM3X2G1600C9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.9
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
7.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
38
Intorno -9% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
35
Velocità di lettura, GB/s
11.9
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1889
2068
Corsair CM3X2G1600C9 2GB Confronto tra le RAM
Corsair CM3X2G1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
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