Confronto tra le RAM Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Punteggio complessivo

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

34 60

Intorno 43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

16 7.8

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

10.3 2.8

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

17000 10600

Intorno 1.6 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2782 1505

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns