RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Confronto
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
45
Intorno 24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
10.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
6.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
45
Velocità di lettura, GB/s
16.0
10.7
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
6.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2782
2142
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
INTENSO 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link