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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Confronto
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
75
Intorno 55% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
7.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
34
75
Velocità di lettura, GB/s
16.0
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
7.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2782
1763
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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